Специалисты IBM Research совершили инженерный прорыв

  • 18 Май, 2016 Источник: ibm.com

Память будущего.

Специалисты IBM Research совершили инженерный прорыв, который, как утверждается, может посодействовать реализации сценария перехода электронных устройств с привычной памяти DRAM и NAND на более быструю и надежную память на основе фазового перехода (PCM, phase change memory).

Инновационная память PCM (phase change memory)

Инновационная память PCM (phase change memory)

Это новый тип энергонезависимой памяти, принцип работы которой основывается на уникальном поведении халькогенида, материала, используемого в перезаписываемых оптических носителях.

Кристаллическое и аморфное состояния халькогенида кардинально различаются электрическим сопротивлением, а это лежит в основе хранения информации. Аморфное состояние, характеризующее высоким сопротивлением, используется для представления двоичного 0, a кристаллическое состояние, обладающее низким уровнем сопротивления, представляет 1. Для переключения между состояниями используются средние и высокие токи, тогда как считывание осуществляется при малых токах.

До сих пор главными препятствиями на пути коммерциализации памяти PCM являлись ее высокая стоимость и очень низкая плотность – не более одного бита на ячейку. Это ограничение делало невозможным применение памяти PCM в ноутбуках или смартфонах.

Ученым из IBM Research первым удалось создать память PCM, способную хранить три бита в одной ячейке. Для этого ученым пришлось тщательно изучить реакцию кристаллов на высокие температуры. Это огромное достижение, которым IBM убила двух зайцев одновременно: повысила плотность хранения и снизила удельную стоимость хранения, сделав PCM значительно дешевле DRAM и приблизив к флэш-памяти.

 

Память на основе фазового перехода PCM

 

К достоинствам PCM можно отнести сочетание высокой производительности, почти такой же, как у DRAM, с энергонезависимостью флэш-памяти. Более того, от флэш-памяти PCM отличается более длительным сроком службы – до 10 млн циклов перезаписи против 3000 перезаписей у флэш-памяти.

По словам IBM, сценариев использования такой памяти море, от замены RAM в настольных компьютерах до создания гибридных конфигураций вместе с флэш-памятью для мобильных устройств.

Подписывайтесь на Квибл в Viber и Telegram, чтобы быть в курсе самых интересных событий.